HBM 부문에서 SK하이닉스에 비해 그간 경쟁에서 뒤쳐져 있었다는 평가를 받던 삼성전자 DS 부문이 HBM 개발부서를 재정비하고 본격적인 사업 진출을 선언하며, HBM의 성능과 신뢰도, 집적도를 획기적으로 향상시킬 수 있는 [하이브리드 본딩] 기술이 반도체 업계의 차세대 먹거리로 급부상했습니다. 하이브리드 본딩 기술은 반도체 칩을 수직으로 쌓아 올리는 3차원 적층 기술 중 하나로, 금속과 금속, 절연체와 절연체를 각각 직접 맞대 접착하여 물리/전기적 연결을 형성, 신호 전달 효율과 신뢰성을 극대화합니다. 하이브리드 본딩은 기존의 범프(솔더볼) 방식, TSV 방식을 대체하여 반도체 간의 거리를 줄이고, 저항을 최소화하는 장점을 갖고 있습니다. 이를 통해 고성능, 고집적 메모리와 시스템 반도체 등 다양한 응용 분야에 적용될 수 있습니다.
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