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헤드헌팅/HR을 위한 탄소나노튜브 분야의 핵심 연구자 간 기술 경쟁력 비교 분석(US 특허 기준)

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탄소나노튜브 분야의 인재 전쟁

탄소나노튜브(Carbon Nanotubes, CNT)는 그래핀(graphene) 시트를 원통형으로 말아 만든 나노미터 크기의 튜브 구조를 가진 물질로, 뛰어난 전기적, 열적, 기계적 성질을 가지고 있습니다. 관련 분야는 급격하게 성장하고 있으며, 이에 따라, R&D 및 특허 출원도 빠르게 증가하고 있습니다.
기업들은 탄소나노튜브 분야에서 핵심 인재를 확보하기 위해서, 기술 인재에 대한 보호 전쟁과 영입 전쟁이라는 양면 전쟁을 치르고 있습니다.
이에, PatentPia는 글로벌 특허라는 객관적 데이터 분석에 기반하여, 이 분야의 핵심 기술 인재를 도출하고, 계량 지표(index)를 활용하여 분석합니다. 링크를 클릭하시어 사이트를 방문하시면 더 많은 기술 인재 리스트를 확인할 수 있습니다. 그리고, 개별 발명자(기술 인재)의 이름을 클릭하시면, 그 발명자에 대한 상세한 특허 분석 정보가 제공됩니다.

탄소나노튜브 분야의 핵심 발명자 간 특허 기술 경쟁력 비교 요약

탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별로, 이 분야 특허 발명의 기술 경쟁력을 주요 특허 지표를 기준으로 비교합니다. 특허 지표에는 특허 출원-공개나 등록과 같은 i) 양적 지표, 심사관 피인용과 같은 ii) 기술 영향력 지표, 거절시킨 후행-후속 특허수와 같은 iii) 기술 리더십 지표 등이 있습니다. 이 분야의 연구자별 분석 데이터는 리크루팅/헤드헌팅, 핵심 인재의 발굴과 보호 등과 같은 HR 업무나 비즈니스에 사용될 수 있습니다.
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인종 그룹
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공개
특허수
등록
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점유율
_공개
집중률
거래
특허수
심사관
피인용수
점유율
_FC-E
해외
Fam.
1
American
19
15
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65.50%
1
74
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29
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Korean
15
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Korean
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American
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Japanese
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Japanese
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[표] 탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별 이 분야 특허 발명의 기술 경쟁력 분석. 데이터 기준일 2024.01.01
이 분야의 주요 핵심 연구자에는 1위 Wardle Brian L, 2위 Kang Kyung Yeon, 3위 Cho Dong Hyun 등이 있습니다.
또한 Wardle Brian L은 발명 특허수(공개 특허수)(19건), 등록 특허수(15건), 공개 특허수 점유율(점유율_공개)(0.83%), 거래 특허수(1건), 심사관 피인용수(74회), 심사관 피인용수 점유율(점유율_FC-E)(1.64%), Yamagishi Tomoko는 집중률(90.9%), Kang Kyung Yeon은 해외 특허 패밀리수(해외 Fam.)(62개)에서 1위 입니다. Uejima, Mitsugu는 집중률(66.7%), Hart Anastasios John은 심사관 피인용수(71회), 심사관 피인용수 점유율(점유율_FC-E)(1.57%), Cho Dong Hyun은 해외 특허 패밀리수(해외 Fam.)(56개)에서 2위 입니다. Kurt W. Swogger는 발명 특허수(공개 특허수)(13건), 공개 특허수 점유율(점유율_공개)(0.57%), Inoue, Tetsuya는 해외 특허 패밀리수(해외 Fam.)(47개)에서 4위 입니다. Bosnyak Clive P는 해외 특허 패밀리수(해외 Fam.)(42개)에서 5위 입니다.
탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별 이 분야 발명 특허수 vs 발명 특허가 받은 심사관 피인용수 데이터 기준일 20240101 그림
[그림] 탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별 이 분야 발명 특허수 vs. 발명 특허가 받은 심사관 피인용수. 데이터 기준일 2024.01.01
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탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별 이 분야 발명 특허수 vs 발명 특허가 받은 심사관 피인용수 데이터 기준일 20240101 그림
[그림] 탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별 이 분야 발명 특허수 vs. 발명 특허가 받은 심사관 피인용수. 데이터 기준일 2024.01.01
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탄소나노튜브 분야에 대한 개별 연구별 분석 데이터는 링크를 클릭하면 제공되는 웹 페이지에서 개별 연구자 이름을 클릭하여 확인할 수 있습니다.

탄소나노튜브 분야의 핵심 발명자 간 특허 포트폴리오 구축 비교

탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별로, 이 분야에 얼마나 많은 i) 특허를 발명하고, ii) 소속 조직 내 특허권 점유율은 얼마인지를 분석합니다.

특허 출원-공개 동향

탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별로, 이 분야에 얼마나 많은 발명 특허가 출원-공개되어 있는지를 분석합니다.
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'23
공개
특허수
1
American
2008-03-27
2023-10-17
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Korean
2014-09-11
2023-09-12
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3
Korean
2015-10-01
2023-12-19
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American
2017-04-27
2021-08-05
0
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Japanese
2014-12-04
2023-12-05
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German
2019-09-05
2023-09-26
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7
2008-03-27
2023-10-17
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Japanese
2017-12-28
2023-12-05
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2018-03-15
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2017-04-27
2023-06-01
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[표] 탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별 발명 특허 출원-공개 분석. 데이터 기준일 2024.01.01
이 분야에서 공개된 발명 특허가 많은 핵심 연구자에는 1위 Wardle Brian L, 2위 Kang Kyung Yeon, 3위 Cho Dong Hyun 등이 있습니다.

이 분야에서 Wardle Brian L의 공개된 발명 특허는 19건입니다. 이 분야에서 Wardle Brian L의 공개된 발명 특허는 11년 이전부터 발생하기 시작하여 2017년에 2건의 최고값을 보입니다. 그리고, 이 값은 이번 연도인 2024년에는 0건, 1년 전인 2023년에는 0건, 2년 전인 2022년에는 1건을 보입니다. 한편, 이 값은 2023년 이래로 발생하지 않고 있습니다.

이 분야에서 Kang Kyung Yeon의 공개된 발명 특허는 15건입니다. 이 분야에서 Kang Kyung Yeon의 공개된 발명 특허는 2014년에 2건으로 최초 발생하여, 2015년에 6건의 최고값을 보입니다. 한편, 이 값은 2021년 이래로 발생하지 않고 있습니다.
탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별 발명 특허 출원공개 동향 데이터 기준일 20240101 그림
[그림] 탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별 발명 특허 출원-공개 동향. 데이터 기준일 2024.01.01
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탄소나노튜브 분야의 핵심 발명자 간 특허 기술 리더십(후행 특허 거절 능력) 비교

탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별로, 이 분야의 발명 특허가 후속-후행 특허의 심사 시, 그 특허의 특허성(신규성 또는 진보성)을 부정하고, 그 특허를 거절하는데 얼마나 많이 사용되었는지에 대해, i) 거절시킨 후행 특허수(총량), ii) 거절시킨 후행 특허수 점유율(비율), iii) 특허당 거절시킨 후행 특허수(밀도) 등으로 분석합니다.
특정 발명자가 후행 특허를 다수 거절시키는 특허를 발명했다는 것은 i) 선행 특허를 발명했다는 점, ii) 그 선행 특허가 후행 특허와 기술적 유사성이 크다는 점에서, 그 발명자는 기술 리더쉽이 강하다고 할 수 있습니다.

거절시킨 후행 특허수 동향

탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별로, 이 분야의 발명 특허가 사용되어 거절시킨 후행 특허수를 분석합니다.
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특허수
1
MIT
26
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MIT
American
21
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[표] 탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별 이 분야 발명 특허가 거절시킨 후행 특허수 동향 분석. 데이터 기준일 2024.01.01
탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별 이 분야 발명 특허가 거절시킨 후행 특허수 동향 데이터 기준일 20240101 그림
[그림] 탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별 이 분야 발명 특허가 거절시킨 후행 특허수 동향. 데이터 기준일 2024.01.01
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탄소나노튜브 또는 개별 기업에 대한 다양한 특허 거절 분석을 원하는 경우, i) 링크 클릭하여 웹 페이지로 이동 -> ii) 거절과 관련된 메뉴(예, '특허당 거절시킨 후행 특허수') 선택하시면 됩니다.

특허당 거절시킨 후행 특허수 동향

탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별로, 이 분야의 발명 특허가 사용되어 거절시킨 후행 특허수를 특허당 거절시킨 후행 특허수로 분석합니다.
특허당 거절시킨 후행 특허수가 많다는 것은 그 발명자가 발명한 각각의 발명이 후행 특허를 많이 거절시킨다는 것을 의미합니다. 이러한 특허당 거절시킨 후행 특허수는, 발명자가 발명한 특허의 질적 우수성(리더쉽)을 대표하는 것으로, 단순히 특허를 많이 발명하였다고 해서 달성될 수 있는 지표가 아닙니다. 
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소속 기관(출원인)
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(추정)
~'13
'14
'15
'16
'17
'18
'19
'20
'21
'22
'23
'24
특허당 거절
후행 특허수
1
MIT
10.40
16
18.60
17.33
16
14.75
13.22
11.73
11.08
11.33
12.17
12.17
12.17
2
MIT
American
5.75
7.67
8
8.27
7.54
7.07
6.31
6.59
6.33
6.32
6.74
6.74
6.74
3
Zeon
Japanese
0.12
0.88
1.11
2.44
1.92
2
2
2
4
LG Chem
Korean
0.12
0.25
0.36
0.69
1.07
1.40
1.53
1.73
1.73
1.73
5
Molecular Rebar Design
0.50
0.88
1
1.33
1.33
1.33
6
HItachi Zosen
Japanese
0.67
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1.11
1.22
1.22
1.22
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LG Chem
Korean
0.20
0.38
0.67
0.73
0.83
0.92
0.92
0.92
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Molecular Rebar Design
American
0.20
0.54
0.61
0.85
0.85
0.85
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Molecular Rebar Design
American
0.50
0.40
0.40
0.50
0.50
0.50
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German
3
0.75
0.83
0.50
0.50
0.50
[표] 탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별 이 분야 발명 특허의 특허당 거절시킨 후행 특허수 동향 분석. 데이터 기준일 2024.01.01
탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별 이 분야 발명 특허당 거절시킨 후행 특허수 데이터 기준일 20240101 그림
[그림] 탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별 이 분야 발명 특허당 거절시킨 후행 특허수. 데이터 기준일 2024.01.01
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신규성 위반으로 거절시킨 후행 특허수 동향

탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별로, 이 분야의 발명 특허가 사용되어 신규성 위반으로 거절시킨 후행 특허수를 분석합니다.
신규성 위반으로 후행 특허를 거절했다는 것은, 발명자가 발명한 선행 특허의 내용과 후행 특허가 권리로 청구하는 내용이 기술적 관점에서 일치 또는 동등하다는 것을 의미합니다.
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신규성 거절
특허수
1
MIT
American
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1
0
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1
1
3
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MIT
11
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26
3
LG Chem
Korean
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Zeon
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5
5
LG Chem
Korean
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2
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Molecular Rebar Design
American
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NEC
Japanese
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HItachi Zosen
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Molecular Rebar Design
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Collins Aerospace
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[표] 탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별 이 분야 발명 특허가 신규성 위반으로 거절시킨 후행 특허수 동향 분석. 데이터 기준일 2024.01.01
탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별 이 분야 발명 특허가 신규성 위반으로 거절시킨 후행 특허수 동향 데이터 기준일 20240101 그림
[그림] 탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별 이 분야 발명 특허가 신규성 위반으로 거절시킨 후행 특허수 동향. 데이터 기준일 2024.01.01
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탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별 이 분야 발명 특허가 신규성 위반으로 거절시킨 후행 특허수 데이터 기준일 20240101 그림
[그림] 탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 핵심 연구자별 이 분야 발명 특허가 신규성 위반으로 거절시킨 후행 특허수. 데이터 기준일 2024.01.01
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탄소나노튜브 또는 개별 기업에 대한 다양한 특허 거절 분석을 원하는 경우, i) 링크 클릭하여 웹 페이지로 이동 -> ii) 거절과 관련된 메뉴(예, '특허당 거절시킨 후행 특허수') 선택하시면 됩니다.

탄소나노튜브 분야의 급성장 발명자 간 특허 기술 경쟁력 비교 요약

탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 급성장 연구자별로, 이 분야 특허 발명의 기술 경쟁력을 주요 특허 지표를 기준으로 비교합니다. 특허 지표에는 특허 출원-공개나 등록과 같은 i) 양적 지표, 심사관 피인용과 같은 ii) 기술 영향력 지표, 거절시킨 후행-후속 특허수와 같은 iii) 기술 리더십 지표 등이 있습니다. 이 분야의 연구자별 분석 데이터는 리크루팅/헤드헌팅, 핵심 인재의 발굴과 보호 등과 같은 HR 업무나 비즈니스에 사용될 수 있습니다.
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발명자
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등록
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_공개
집중률
심사관
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_FC-E
해외
Fam.
1
German
12
6
0.53%
32.40%
3
0.07%
12
2
Japanese
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5
0.44%
90.90%
2
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3
American
6
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60.00%
2
0.04%
46
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Vietnamese
8
5
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Japanese
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American
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38
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Japanese
7
3
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1
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40
[표] 탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 급성장 연구자별 이 분야 특허 발명의 기술 경쟁력 분석. 데이터 기준일 2024.01.01
이 분야의 주요 급성장 연구자에는 1위 Licht Stuart, 2위 Yamagishi Tomoko, 3위 Henderson, Nancy 등이 있습니다.
또한 Kurt W. Swogger는 발명 특허수(공개 특허수)(13건), 공개 특허수 점유율(점유율_공개)(0.57%), 심사관 피인용수(8회), 심사관 피인용수 점유율(점유율_FC-E)(0.18%), Licht Stuart는 등록 특허수(6건), Yamagishi Tomoko는 집중률(90.9%), Henderson, Nancy는 해외 특허 패밀리수(해외 Fam.)(46개)에서 1위 입니다. Kawakami, Osamu는 집중률(71.4%), Bosnyak Clive P는 심사관 피인용수(6회), 심사관 피인용수 점유율(점유율_FC-E)(0.13%), 해외 특허 패밀리수(해외 Fam.)(42개)에서 2위 입니다. Huynh Chi는 집중률(66.7%), 심사관 피인용수(5회), 심사관 피인용수 점유율(점유율_FC-E)(0.11%), Masuda Shotaro는 해외 특허 패밀리수(해외 Fam.)(40개)에서 3위 입니다. Ding Jianfu는 등록 특허수(5건), 집중률(41.2%)에서 5위 입니다.
탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 급성장 연구자별 이 분야 발명 특허수 vs 발명 특허가 받은 심사관 피인용수 데이터 기준일 20240101 그림
[그림] 탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 급성장 연구자별 이 분야 발명 특허수 vs. 발명 특허가 받은 심사관 피인용수. 데이터 기준일 2024.01.01
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탄소나노튜브 분야의 급성장 발명자 간 특허 출원-공개 동향

탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 급성장 연구자별로, 이 분야에 얼마나 많은 발명 특허가 출원-공개되어 있는지를 분석합니다.
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공개
특허수
1
German
2019-09-05
2023-09-26
0
0
0
0
0
0
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2
Japanese
2017-12-28
2023-12-05
0
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American
2017-10-12
2023-06-01
0
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2017-04-27
2023-06-01
0
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5
2018-06-07
2022-12-15
0
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6
Vietnamese
2016-12-15
2023-06-22
0
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8
Japanese
2019-12-05
2023-05-30
0
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0
0
0
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9
American
2017-04-27
2021-08-05
0
0
0
0
0
0
10
Japanese
2019-01-24
2021-02-25
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[표] 탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 급성장 연구자별 발명 특허 출원-공개 분석. 데이터 기준일 2024.01.01
이 분야에서 공개된 발명 특허가 많은 급성장 연구자에는 1위 Licht Stuart, 2위 Yamagishi Tomoko, 3위 Henderson, Nancy 등이 있습니다.

이 분야에서 Licht Stuart의 공개된 발명 특허는 12건입니다. 이 분야에서 Licht Stuart의 공개된 발명 특허는 2019년에 1건으로 최초 발생하여, 2023년에 6건의 최고값을 보입니다. 그리고, 이 값은 이번 연도인 2024년에는 0건, 1년 전인 2023년에는 6건, 2년 전인 2022년에는 2건을 보입니다.

이 분야에서 Yamagishi Tomoko의 공개된 발명 특허는 10건입니다. 이 분야에서 Yamagishi Tomoko의 공개된 발명 특허는 2017년에 1건으로 최초 발생하여, 2022년에 3건의 최고값을 보입니다. 그리고, 이 값은 이번 연도인 2024년에는 0건, 1년 전인 2023년에는 3건, 2년 전인 2022년에는 3건을 보입니다.
탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 급성장 연구자별 발명 특허 출원공개 동향 데이터 기준일 20240101 그림
[그림] 탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 급성장 연구자별 발명 특허 출원-공개 동향. 데이터 기준일 2024.01.01
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탄소나노튜브 분야의 전문성 높은 발명자 간 특허 기술 경쟁력 비교 요약

탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 전문성 높은 연구자별로, 이 분야 특허 발명의 기술 경쟁력을 주요 특허 지표를 기준으로 비교합니다. 특허 지표에는 특허 출원-공개나 등록과 같은 i) 양적 지표, 심사관 피인용과 같은 ii) 기술 영향력 지표, 거절시킨 후행-후속 특허수와 같은 iii) 기술 리더십 지표 등이 있습니다. 이 분야의 연구자별 분석 데이터는 리크루팅/헤드헌팅, 전문성 높은 인재의 발굴과 보호 등과 같은 HR 업무나 비즈니스에 사용될 수 있습니다.
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발명자
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인종 그룹
(추정)
공개
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등록
특허수
점유율
_공개
집중률
거래
특허수
심사관
피인용수
점유율
_FC-E
해외
Fam.
1
Japanese
10
5
0.44%
90.90%
2
0.04%
21
2
Japanese
5
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0.22%
71.40%
8
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Vietnamese
8
5
0.35%
66.70%
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0.11%
21
4
Japanese
12
10
0.53%
66.70%
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American
19
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0.83%
65.50%
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1.64%
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American
6
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0.26%
60.00%
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46
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Korean
15
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0.66%
55.60%
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0.27%
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9
Korean
13
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0.57%
40.60%
7
0.15%
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10
Japanese
5
3
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38.50%
1
0.02%
31
[표] 탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 전문성 높은 연구자별 이 분야 특허 발명의 기술 경쟁력 분석. 데이터 기준일 2024.01.01
이 분야의 주요 전문성 높은 연구자에는 1위 Yamagishi Tomoko, 2위 Kawakami, Osamu, 3위 Huynh Chi 등이 있습니다.
또한 Wardle Brian L은 발명 특허수(공개 특허수)(19건), 등록 특허수(15건), 공개 특허수 점유율(점유율_공개)(0.83%), 거래 특허수(1건), 심사관 피인용수(74회), 심사관 피인용수 점유율(점유율_FC-E)(1.64%), Yamagishi Tomoko는 집중률(90.9%), Kang Kyung Yeon은 해외 특허 패밀리수(해외 Fam.)(62개)에서 1위 입니다. Kawakami, Osamu는 집중률(71.4%), Uejima, Mitsugu는 심사관 피인용수(15회), 심사관 피인용수 점유율(점유율_FC-E)(0.33%), Cho Dong Hyun은 해외 특허 패밀리수(해외 Fam.)(56개)에서 2위 입니다. Huynh Chi는 집중률(66.7%)에서 3위 입니다. Henderson, Nancy는 해외 특허 패밀리수(해외 Fam.)(46개)에서 4위 입니다. Maeno Yohei는 해외 특허 패밀리수(해외 Fam.)(31개)에서 5위 입니다.
탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 전문성 높은 연구자별 이 분야 발명 특허수 vs 발명 특허가 받은 심사관 피인용수 데이터 기준일 20240101 그림
[그림] 탄소나노튜브 분야의 US 특허 발명 전문성 높은 연구자별 이 분야 발명 특허수 vs. 발명 특허가 받은 심사관 피인용수. 데이터 기준일 2024.01.01
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탄소나노튜브 분야에 대한 개별 연구별 분석 데이터는 링크를 클릭하면 제공되는 웹 페이지에서 개별 연구자 이름을 클릭하여 확인할 수 있습니다.

헤드헌팅 등 HR 업무/비즈니스

탄소나노튜브 분야의 핵심 기술 인재에 관심있는 사내 인사 조직 또는 HR 컨설팅 기업용 질문
1. 객관적 기술 데이터에 기반한, 탄소나노튜브 분야의 특허를 발명한 핵심 연구자에 대한 i) 식별(identification) 및 ii) 비교 평가한 데이터를 헤드헌팅/리크루팅이나 핵심 인재의 보호와 발굴 등과 같은 여러분의 HR 프로세스에 활용할 수 있지 않을까요?
2. 객관적 데이터로 여러분의 HR 프로세스를 차별화할 수 있지 않을까요?
3. 차별화된 데이터를 활용하면, 경쟁자들보다 빨리 핵심 인재를 인지하고, 그 사람과 연결될 수 있지 않을까요?
4. 데이터를 지능적으로 활용하면, 고객 기업이 원하는 핵심 인력을 체계적으로 스크리닝 할 수 있지 않을까요?
5. 데이터를 잘 활용하면 신규 고객 기업을 더 잘 발굴할 수 있지 않을까요?
6. 보유하고 있거나 접근 가능한 HR 데이터와 이 분야의 핵심 연구자 데이터를 연계-결합해 보세요.
본 제안에 관심 있는 HR 기업이나 기업 내 HR 담당자는 contact@patentpia.com으로 연락 주십시오.

분야 단위 발명자/연구자/개발자 분석 일반 관련 참고 링크

발명자/연구자/개발자 데이터 체계, 분석 및 활용에 대한 상세한 것은 다음 링크를 클릭해 주세요.

Appendix

분석 대상의 정의

분석 방법론

분석 지표

분석 지표에 대한 상세한 설명을 원하시는 분은 [링크]를 클릭하세요. 분석 지표 계열에는 특허 출원-공개 및 등록을 중심으로 하는 i) 특허 포트폴리오 지표 계열, 피인용(forward citations)을 중심으로 하는 ii) 기술 영향력 계열, 거절(rejection)을 중심으로 하는 iii) 기술 리더쉽 계열, iv) 품질 계열, v) 점유율, 집중률 등과 같은 비율 계열, vi) 특허당 등과 같은 밀도 계열 등이 있습니다.

분석 기준

분석 기준에 대한 상세한 설명을 원하시는 분은 [링크]를 클릭하세요. 분석 기준에는 i) 분석 방법론, ii) 분석 기준 체계, iii) 분석 집계값의 종류, iv) 분석 시간 기준 등이 있습니다. 중요 분석 기준에는 i) 현재 권리자의 확정, ii) 기술 분야에 대한 인식(기술 분야 vs. 특허셋(patent set) 맵핑 등), iii) 기술 분야나 키워드 표현에 대한 기준, iii) 특허 매입/거래, 소송/심판 등에 대한 기준과 범위, iv) 인용-피인용에 대한 기준과 범위 등이 있습니다.

분석 콘텐츠 작성에 사용되는 데이터의 범위

분석 콘텐츠 제작에 사용된 데이터의 i) 공간(국가의 특허청), ii) 시간 범위 및, iii) 주요 데이터에 대한 원천 소스(original source)는 다음과 같습니다. 분석 콘텐츠를 구성하는 2차적인 데이터(예, 특허 거래 네트워크 등)는 원천 데이터 소스로부터 가공되어 생성됩니다. 개별적인 데이터에 대한 상세한 것은 [링크]를 참조하세요. 링크에 연결되는 페이지에서는 데이터 계열, 데이터 내용 및 기타 분속 콘텐츠에 사용되는 데이터에 대한 상세한 설명이 있습니다.
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US
특허 포트폴리오
출원-공개, 등록, 청구항 등
~2024.01.01
최초 공개일
US
인용-피인용
피인용, 레퍼런스
특허 공보 XML
~2024.01.01
최근 공개일
US
거절
거절
~2024.01.01
최초 거절 OA 발생일
US
특허 패밀리
국내 특허 패밀리, 해외 특허 패밀리
최초 공개일
US
이벤트
거래, M&A를 통한 특허 이전, 라이센싱(in/out)
~2024.01.01
assignment 실행일
US
이벤트
소송
~2024.01.01
소송 제기일
US
이벤트
심판
~2024.01.01
심판 제기일
US
기술
표준 특허 분류(CPC)
~2024.01.01
US
기술
기술 카테고리
표준 특허 분류, 키워드, 특허셋(patent set)
~2024.01.01
US
키워드
키워드
특허 공보의 다음 필드 i) 발명의 명칭ii) 초록iii) 특허 청구 범위
~2024.01.01
*최초 공개일 : 특허 공보가 최초로 발행된 날짜. 공개 공보가 발행되면 공개 공보 발행일, 공개 공보 발행 없이 등록된 경우에는 등록 공보 발행일.
*최근 공개일 : 선행 특허를 인용하는 후행 특허 공보의 최근 발행 날짜. 공개 공보 발행일과 등록 공보 발행일 중 늦은 날짜(인용 관계는 주로 등록 공보에 references cited로 기재되기 때문)
* 최초 거절 OA 발생일 : 특정 특허를 심사하는 심사관이, 특정 선행 특허를 인용하며, 특허 거절에 대한 office action(OA)를 통지하는 경우, 최초로 거절 OA 통지가 발생한 날짜. 심사관은 특정 선행 특허를 인요하며, 1차례 이상의 non-final rejection 또는 final rejection을 통지할 수 있음.
* Assignment 실행일 : 미국에서의 assignment는 실행일(execution date)과 기록일(record date)이 있음. 실행을 통해서 assignment의 법률적 효력이 발생하므로, 실행일을 기준으로 함. (참고)미국을 제외한 다른 나라는 실행일의 개념이 없어, 특허청에 기록된 날을 기준으로 함.
PatentPia가 제공하는 상세한 데이터에 대해서는 [링크]를 클릭해 보세요. 이곳에서는 i) 기반 특허 데이터, ii) 특허 이벤트 데이터, iii) 가공 특허 데이터, iv) Entity(권리자, 발명자, 대리인 등) 데이터, v) 키워드 데이터, vi) 계층형 카테고리 데이터, vii) 특별한 특허 데이터 등 다양한 데이터에 대한 상세한 설명이 있습니다.

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