반도체 기업군 보유 특허를 거절시키는 삼성전자 보유 선행 특허 비교

미국 특허를 중심으로 반도체 기업군 보유 특허를 거절시키는 삼성전자 보유 선행 특허 목록을 비교 분석합니다.

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Key message 2 :

반도체 기업군 보유 특허를 거절시키는 삼성전자 보유 선행 특허 비교

거절 특허수 관점, 반도체 기업군 보유 특허를 거절시키는 삼성전자 보유 선행 특허 비교

3가지 시간 트랙별로 거절시키는 후행 특허수를 기준으로 하는 반도체 기업군 보유 특허를 거절시키는 삼성전자 보유 선행 특허를 분석합니다. 3가지 시간 트랙에는, i) 과거부터 현재까지의 모든 R&D 결과와 관련되는 전체 특허 사용하는 트랙, ii) 비교적 최근 R&D 결과에 대응되는, 최근 10년(2024년 기준, 2013~2023) 내 출원-공개된 특허만 사용하는 트랙, 및 iii) 최신 R&D 결과에 대응되는, 최근 5년(2024년 기준, 2018~2023) 내 출원-공개된 특허만 사용하는 트랙이 있습니다.

권리자가 보유하고 있는 특허는, 미국 특허청에서 반도체 기업군 보유 특허가 심사될 때, 심사관이 그 후행 특허의 특허성을 부정하는, 즉 특허 등록을 거절하는, 선행 문헌으로 사용될 수 있습니다. 각각의 특허는 특허청 심사관에 의해, 여러 후행 특허를 거절하는 선행 특허로 사용되는 특허(거절 후행 특허수 >=1)일 수도 있지만, 후행 특허의 거절에 사용되지 않는 특허(거절 후행 특허수 = 0)도 있습니다.

반도체 기업군 보유 특허를 거절시키는 삼성전자 보유 선행 특허별 거절 후행 특허수는, 미국 특허청에서 반도체 기업군 보유 특허가 심사될 때, 그 선행 특허가 선행 문헌으로 사용되어, 거절시키는 반도체 기업군 보유 특허의 고유한(중복 없는) 개수입니다.

반도체 기업군 보유 특허를 다수 거절시키는 삼성전자 보유 선행 특허는, 삼성전자에게 i) 특허적 리스크 요인, ii) 매입 타겟 특허 등이 될 수 있습니다.

반도체 기업군 보유 특허를 거절시키는 삼성전자 보유 선행 특허 및 그 선행 특허가 거절시키는 반도체 기업군 보유 특허수 동향은 다음과 같습니다.

가로축 : 거절 연도

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Rank

출원번호

발명의 명칭

현재 권리자

’13

’14

’15

’16

’17

’18

’19

’20

’21

’22

’23

Total

1

13/188554

Semiconductor package having through silicon via (TSV) interposer and method of manufacturing the semiconductor package

Samsung Electronics

4

9

3

4

1

36

2

16/518877

Method and apparatus for high reliability transmission in vehicle to everything (V2X) communication

Samsung Electronics

2

5

13

8

28

3

16/268300

Method and apparatus for power savings at a user equipment

Samsung Electronics

7

8

7

3

25

4

14/853442

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Samsung Electronics

1

2

3

4

7

5

2

1

25

5

14/133483

Method and apparatus for random access in communication system with large number of antennas

Samsung Electronics

2

10

4

7

1

25

6

14/741454

Semiconductor device having silicon-germanium source/drain regions with varying germanium concentrations

Samsung Electronics

1

3

6

5

7

1

24

7

13/155483

Semiconductor devices including silicide regions and methods of fabricating the same

Samsung Electronics

7

4

3

4

1

3

1

24

8

14/262712

FinFET with a single contact to multiple fins bridged together to form a source/drain region of the transistor

Samsung Electronics

2

1

4

6

1

4

1

23

9

13/837999

APPARATUS AND METHOD FOR CONTROL CHANNEL BEAM MANAGEMENT IN A WIRELESS SYSTEM WITH A LARGE NUMBER OF ANTENNAS

Samsung Electronics

2

9

4

5

2

1

23

10

13/235372

Semiconductor packages and methods of fabricating the same

Samsung Electronics

1

6

3

4

2

22

11

13/174813

Semiconductor device including a stack of semiconductor chips, underfill material and molding material

Samsung Electronics

6

1

4

2

1

3

1

3

22

12

15/392353

Storage device including nonvolatile memory device and controller, operating method of storage device, and method for accessing storage device

Samsung Electronics

1

5

9

4

1

21

13

15/750164

METHOD AND APPARATUS FOR INITIAL ACCESS IN WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM

Samsung Electronics

10

6

1

2

1

20

14

13/115431

Semiconductor package

Samsung Electronics

1

4

3

4

1

20

15

15/945589

Method and apparatus for beam recovery in next generation wireless systems

Samsung Electronics

1

3

10

4

19

16

14/161744

Semiconductor device and fabricating method thereof

Samsung Electronics

5

1

4

1

2

19

17

12/720021

Methods of fabricating three-dimensional nonvolatile memory devices using expansions

Samsung Electronics

2

4

3

5

1

2

1

19

18

15/856752

Method and apparatus for system information delivery in advanced wireless systems

Samsung Electronics

1

6

3

2

18

19

15/424136

Method and apparatus for UE signal transmission in 5G cellular communications

Samsung Electronics

3

8

3

1

18

20

14/639494

Semiconductor devices including a dummy gate structure on a fin

Samsung Electronics

1

2

6

3

2

3

1

18

[표 1] 미국 특허청(USPTO) 기준, 반도체 기업군 보유 특허를 거절시키는 삼성전자 보유 선행 특허별 거절 후행 특허수

*특정 연도의 출원-공개 특허 : 그 연도에 최초로 공개된 특허. 출원 후, 강제 공개 제도에 따라, i) 그 연도에 공개 또는 ii) 강제 공개 없이, 그 연도에 등록되어 공개된 특히

최근 10년(2024년 기준, 2013~2023) 이내에 출원-공개된 상대적으로 최근 R&D 결과를 반영하는 특허만을 사용한 반도체 기업군 보유 특허를 거절시키는 삼성전자 보유 선행 특허 및 그 선행 특허가 거절시키는 특허수를 분석하면 다음과 같습니다.

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Rank

출원번호

발명의 명칭

현재 권리자

’13

’14

’15

’16

’17

’18

’19

’20

’21

’22

’23

Total

1

13/188554

Semiconductor package having through silicon via (TSV) interposer and method of manufacturing the semiconductor package

Samsung Electronics

4

9

3

4

1

36

2

16/518877

Method and apparatus for high reliability transmission in vehicle to everything (V2X) communication

Samsung Electronics

2

5

13

8

28

3

16/268300

Method and apparatus for power savings at a user equipment

Samsung Electronics

7

8

7

3

25

4

14/133483

Method and apparatus for random access in communication system with large number of antennas

Samsung Electronics

2

10

4

7

1

25

5

14/853442

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Samsung Electronics

1

2

3

4

7

5

2

1

25

6

14/741454

Semiconductor device having silicon-germanium source/drain regions with varying germanium concentrations

Samsung Electronics

1

3

6

5

7

1

24

7

13/155483

Semiconductor devices including silicide regions and methods of fabricating the same

Samsung Electronics

7

4

3

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1

3

1

24

8

14/262712

FinFET with a single contact to multiple fins bridged together to form a source/drain region of the transistor

Samsung Electronics

2

1

4

6

1

4

1

23

9

13/837999

APPARATUS AND METHOD FOR CONTROL CHANNEL BEAM MANAGEMENT IN A WIRELESS SYSTEM WITH A LARGE NUMBER OF ANTENNAS

Samsung Electronics

2

9

4

5

2

1

23

10

13/235372

Semiconductor packages and methods of fabricating the same

Samsung Electronics

1

6

3

4

2

22

11

13/174813

Semiconductor device including a stack of semiconductor chips, underfill material and molding material

Samsung Electronics

6

1

4

2

1

3

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12

15/392353

Storage device including nonvolatile memory device and controller, operating method of storage device, and method for accessing storage device

Samsung Electronics

1

5

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4

1

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13

15/750164

METHOD AND APPARATUS FOR INITIAL ACCESS IN WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM

Samsung Electronics

10

6

1

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14

13/115431

Semiconductor package

Samsung Electronics

1

4

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4

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15

15/945589

Method and apparatus for beam recovery in next generation wireless systems

Samsung Electronics

1

3

10

4

19

16

14/161744

Semiconductor device and fabricating method thereof

Samsung Electronics

5

1

4

1

2

19

17

12/720021

Methods of fabricating three-dimensional nonvolatile memory devices using expansions

Samsung Electronics

2

4

3

5

1

2

1

19

18

15/856752

Method and apparatus for system information delivery in advanced wireless systems

Samsung Electronics

1

6

3

2

18

19

15/424136

Method and apparatus for UE signal transmission in 5G cellular communications

Samsung Electronics

3

8

3

1

18

20

14/639494

Semiconductor devices including a dummy gate structure on a fin

Samsung Electronics

1

2

6

3

2

3

1

18

[표 2] 미국 특허청(USPTO) 기준, 최근 10년(2024년 기준, 2013~2023) 내 출원-공개된 특허 기준, 반도체 기업군 보유 특허를 거절시키는 삼성전자 보유 선행 특허별 거절 특허수

참고로, 최근 10년 내에 출원-공개된 특허만이 사용되는 거절 특허수란, 미국 특허청에서 반도체 기업군 보유 특허가 심사될 때, 그 후행 특허를 거절시키는 선행 문헌이 (not whole years) 최근 10년(2023년 기준, 2013~2023) 내 출원-공개된 특허만을 기준으로 하여 계량하는 거절 특허수라는 의미입니다.

최근 5년(2024년 기준, 2013~2023) 이내에 출원-공개된 상대적으로 최근 R&D 결과를 반영하는 특허만을 사용한 반도체 기업군 보유 특허를 거절시키는 삼성전자 보유 선행 특허 및 그 선행 특허가 거절시키는 특허수를 분석하면 다음과 같습니다.

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출원번호

발명의 명칭

현재 권리자

’18

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Total

1

16/518877

Method and apparatus for high reliability transmission in vehicle to everything (V2X) communication

Samsung Electronics

2

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13

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2

16/268300

Method and apparatus for power savings at a user equipment

Samsung Electronics

7

8

7

3

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14/741454

Semiconductor device having silicon-germanium source/drain regions with varying germanium concentrations

Samsung Electronics

1

3

6

5

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4

14/133483

Method and apparatus for random access in communication system with large number of antennas

Samsung Electronics

10

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5

14/853442

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Samsung Electronics

3

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15/392353

Storage device including nonvolatile memory device and controller, operating method of storage device, and method for accessing storage device

Samsung Electronics

1

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7

13/837999

APPARATUS AND METHOD FOR CONTROL CHANNEL BEAM MANAGEMENT IN A WIRELESS SYSTEM WITH A LARGE NUMBER OF ANTENNAS

Samsung Electronics

9

4

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15/750164

METHOD AND APPARATUS FOR INITIAL ACCESS IN WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM

Samsung Electronics

10

6

1

2

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9

15/945589

Method and apparatus for beam recovery in next generation wireless systems

Samsung Electronics

1

3

10

4

19

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15/856752

Method and apparatus for system information delivery in advanced wireless systems

Samsung Electronics

1

6

3

2

18

11

15/424136

Method and apparatus for UE signal transmission in 5G cellular communications

Samsung Electronics

3

8

3

1

18

12

14/639494

Semiconductor devices including a dummy gate structure on a fin

Samsung Electronics

2

6

3

2

3

1

17

13

14/262712

FinFET with a single contact to multiple fins bridged together to form a source/drain region of the transistor

Samsung Electronics

1

4

6

1

4

1

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14

16/175532

Method and apparatus for beam management in the unlicensed spectrum

Samsung Electronics

6

3

6

1

16

15

15/441838

System and method of connected mode discontinuous operation in beamformed system

Samsung Electronics

3

7

4

2

16

13/188554

Semiconductor package having through silicon via (TSV) interposer and method of manufacturing the semiconductor package

Samsung Electronics

3

4

1

16

17

13/772047

Beam management for wireless communication

Samsung Electronics

1

7

3

1

14

18

15/617852

Transmissions of physical downlink control channels in a communication system

Samsung Electronics

3

4

3

2

1

13

19

15/407889

Method and apparatus for generating beam measurement information in a wireless communication system

Samsung Electronics

3

1

5

2

13

20

15/013969

Semiconductor device having fin active regions and method of fabricating the same

Samsung Electronics

1

3

2

5

2

13

[표 3] 미국 특허청(USPTO) 기준, 최근 5년(2024년 기준, 2018~2023) 내 출원-공개된 특허 기준, 반도체 기업군 보유 특허를 거절시키는 삼성전자 보유 선행 특허별 거절 특허수

참고로, 최근 5년 내에 출원-공개된 특허만이 사용되는 거절 특허수란, 미국 특허청에서 반도체 기업군 보유 특허가 심사될 때, 그 후행 특허를 거절시키는 선행 문헌이 (not whole years) 최근 5년(2023년 기준, 2018~2023) 내 출원-공개된 특허만을 기준으로 하여 계량하는 거절 특허수라는 의미입니다.

반도체 분야의 강자 삼성전자! 반도체 분야 기업의 특허를 거절시키는 삼성전자의 주요 특허

반도체 기업군 보유 특허를 거절시키는 삼성전자 보유 선행 특허 비교

반도체 기업군 보유 특허를 거절시키는 삼성전자 보유 선행 특허 비교

거절 특허수 관점, 반도체 기업군 보유 특허를 거절시키는 삼성전자 보유 선행 특허 비교